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Die Aufbau- und Ablauforganisation eines Unternehmens bilden zusammen die Betriebs- und Unternehmensorganisation. September 1999 Bei Stinnes lag der Umsatz aufgrund der Ver¨außerung von Aktivit¨aten im Wesentlichen Baum¨arkte, Sanit¨ar. Kennzahlen stellen eine spezielle Verdichtungsform dar.
Bei den u¨ brigen Kernkraftwerken handelt es sich um Gemeinschaftskraftwerke, die gemeinsam mit Dritten betrieben werden. Wir geben dazu die nachfolgende Definition an. F¨ ur wohlstrukturierte Entscheidungen kann eine Entscheidungsautomatisierung vorgenommen werden, da der Entscheidungsprozess vollst¨andig spezifiziert ist.
[PDF] Agentur für Arbeit Jena - Die Abbildung α ordnet jedem Ereignis die von ihm ausgel¨oste Aktion zu. Der Vorgang der Zusammenfassung der einzelnen Abschl¨ usse wird als Konsolidierung bezeichnet.
Maskenbearbeitungsvorrichtung zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske, mit: fotomasken erstellen einer Komplementärunterteilungseinrichtung zum Ausführen fotomasken erstellen Komplementärunterteilung für Designdaten für jede vorbestimmte Verarbeitungseinheit zum Erzeugen komplementär unterteilter Muster auf Grundlage der Designdaten und Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften der Komplementär-Stencilmaske angeben; — einer Maskendaten-Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen der Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Maskenbearbeitungsvorrichtung zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske, mit: — einer Komplementärunterteilungseinrichtung zum Ausführen fotomasken erstellen Komplementärunterteilung für Designdaten für jede vorbestimmte Verarbeitungseinheit zum Erzeugen komplementär unterteilter Muster auf Grundlage der Designdaten und Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften der Komplementär-Stencilmaske angeben; — einer Maskendaten-Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen der Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der — die Maskeneigenschaftsdaten Stegpositionsdaten von in der Komplementär-Stencilmaske hergestellten Stegen beinhalten; — die Komplementärunterteilungsvorrichtung die komplementär unterteilten Muster auf Grundlage der Designdaten und der Stegpositionsdaten innerhalb der Maskeneigenschaftsdaten erzeugt; und — die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Stegpositionsdaten in den Maskeneigenschaftsdaten erzeugt. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung über eine Formverifiziereinrichtung verfügt, um auf Grundlage der komplementär unterteilten Muster, wie sie die Komplementärunterteilungseinrichtung für jede genannte vorbestimmte Verarbeitungseinheit erzeugt, zu verifizieren, ob für die Komplementär-Sten cilmaske Defektmuster erzeugt wurden. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung über eine Korrektureinrichtung verfügt, um an zumindest den komplementär unterteilten Mustern unter Verwendung von Innenspannungen der Membran in der Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster sowie der Maskeneigenschaftsdaten eine Verschiebungskorrekturverarbeitung auszuführen, und um die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der Ergebnisse dieser Verschiebungskorrekturverarbeitung zu erzeugen. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung über eine Korrektureinrichtung verfügt, um zumindest an den komplementär unterteilten Mustern unter Verwendung mechanischer Eigenschaften der Maskenelemente der Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster sowie der Maskeneigenschaftsdaten eine Verschiebungskorrekturverarbeitung auszuführen, und um die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verschiebungskorrekturverarbeitung zu erzeugen. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung über eine Belichtungsverifiziereinrichtung verfügt, um auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster sowie der Maskeneigenschaftsdaten zu verifizieren, ob diese komplementär unterteilten Muster mit Mustern in den Designdaten, entsprechend mehreren Belichtungen übereinstimmen, und um die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verifizierung zu erzeugen. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, ferner fotomasken erstellen einer Membrandaten-Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen von Membrandaten, um die Form der Membran in der Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der Designdaten und der Maskeneigenschaftsdaten zu zeichnen. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der — die Maskeneigenschaftsdaten Vorrichtungseigenschaftsdaten betreffend Eigenschaften der Stencilmaske-Herstellvorrichtung zum Herstellen der Komplementär-Stencilmaske beinhalten; und — die Vorrichtung ferner über eine Zeichnungsdaten-Erzeugungseinrichtung verfügt, um Zeichnungsmembrandaten, um dafür zu sorgen, dass die Stencilmaske-Herstellvorrichtung die Membran zeichnet, und Zeichnungsmusterdaten, um dafür zu sorgen, dass sie die komplementär unterteilten Muster in der Membran auf Grundlage der durch die Membrandaten-Erzeugungsdaten erzeugten Membrandaten, von durch die Maskenmusterdaten-Erzeugungseinrichtung fotomasken erstellen Daten für die Komplementär-Stencilmaske sowie der Vorrichtungseigenschaftsdaten zeichnet, zu erzeugen. Maskenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der — die Vorrichtung über eine Ausrichtungsdaten-Erzeugungseinrichtung verfügt, um zumindest Ausrichtungsdaten für die Stencilmaske auf Grundlage der Designdaten und der Maskeneigenschaftsdaten zu erzeugen; und — die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung die Daten für die Komplementär-Stencilmaske einschließlich der durch die Ausrichtungsdaten-Erzeugungseinrichtung erzeugten Ausrichtungsdaten erzeugt. Maskenbearbeitungsverfahren einer Maskenbearbeitungsvorrichtung zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske, umfassend: — einen ersten Schritt zum komplementären Unterteilen von Designdaten für jede vorbestimmte Erzeugungseinheit, um komplementär unterteilte Muster auf Grundlage der Designdaten und von Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften einer Komplementär-Stencilmaske angeben, zu erzeugen; und — einen zweiten Schritt zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der im ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Maskenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 11, bei dem — die Maskeneigenschaftsdaten Stegpositionsdaten von in der Komplementär-Stencilmaske ausgebildeten Stegen beinhalten; — der erste Schritt die komplementär unterteilten Muster auf Grundlage der Designdaten und der Stegpositionsdaten in den Maskeneigenschaftsdaten erzeugt; und — der zweite Schritt die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch den fotomasken erstellen Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster fotomasken erstellen der Stegpositionsdaten in den Maskeneigenschaftsdaten erzeugt. Maskenbearbeitungsverfahren nach Fotomasken erstellen 11, bei dem der zweite Schritt über einen Schritt verfügt, der dazu dient, auf Grundlage der komplementär unterteilten Muster, die der erste Schritt für jede vorbestimmte Verarbeitungseinheit erzeugt, zu verifizieren, ob für die Komplementär-Stencilmaske Defektmuster erzeugt wurden. Maskenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 11, bei dem der zweite Schritt über einen Schritt verfügt, der dazu dient, auf Grundlage der durch den ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten eine Verschiebungskorrekturverarbeitung an zumindest den komplementär unterteilten Mustern unter Verwendung von Innenspannungen der Membran in der Komplementär-Stencilmaske auszuführen und die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verschiebungskorrekturverarbeitung zu erzeugen. Maskenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 11, bei dem der zweite Schritt über einen Schritt verfügt, der dazu dient, auf Grundlage der im ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten eine Verschiebungskorrekturverarbeitung an zumindest den komplementär unterteilten Mustern unter Verwendung fotomasken erstellen Eigenschaften der Maskenelemente der Komplementär-Stencilmaske auszuführen und die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen fotomasken erstellen Verschiebungskorrekturverarbeitung zu erzeugen. Maskenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 11, bei dem der zweite Schritt über einen Schritt verfügt, der dazu dient, auf Grundlage der im ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten zu verifizieren, ob diese komplementär unterteilten Muster mit Mustern in den Designdaten, entsprechend mehreren Belichtungen, übereinstimmen, und um die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verifizierung zu erzeugen. Maskenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 11, bei dem — die Maskeneigenschaftsdaten Vorrichtungseigenschaftsdaten betreffend Eigenschaften einer Stencilmaske-Herstellvorrichtung zum Herstellen der Komplementär-Stencilmaske beinhalten; — der erste Schritt einen Schritt zum Erzeugen von Membrandaten zum Zeichnen der Form der Membran in der Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der Designdaten und der Maskeneigenschaftsdaten beinhaltet; und — das Verfahren ferner, nach dem zweiten Schritt über einen Schritt des Erzeugens von Zeichnungsmembrandaten, um dafür zu sorgen, dass die Stencilmaske-Herstellvorrichtung die Membran zeichnet, sowie Zeichnungsmusterdaten, um dafür zu sorgen, dass sie komplementär unterteilte Muster in der Membran auf Grundlage der Membrandaten, der Daten für die Komplementär-Stencilmaske und der Vorrichtungseigenschaftsdaten zeichnet, verfügt. Maskenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 11, bei dem — der erste Schritt einen Schritt zum Erzeugen von zumindest Ausrichtungsdaten für die Stencilmaske auf Grundlage fotomasken erstellen Designdaten und der Maskeneigenschaftsdaten verfügt; und — der zweite Schritt die Daten für die Komplementär-Stencilmaske einschließlich der Ausrichtungsdaten erzeugt. Durch eine Informationsverarbeitungsvorrichtung auszuführendes Programm mit: — einer ersten Routine zum komplementären Unterteilen von Designdaten für jede vorbestimmte Erzeugungseinheit, um komplementär unterteilte Muster auf Grundlage der Designdaten und von Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften einer Komplementär-Stencilmaske angeben, zu erzeugen; und — einer zweiten Routine zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der im ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Programm nach Anspruch 21, bei dem — die Maskeneigenschaftsdaten Stegpositionsdaten von in der Komplementär-Stencilmaske ausgebildeten Stegen beinhalten; — die erste Routine die komplementär unterteilten Muster auf Grundlage der Designdaten und der Stegpositionsdaten in den Maskeneigenschaftsdaten erzeugt; und — die zweite Routine die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die erste Routine erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Stegpositionsdaten in den Maskeneigenschaftsdaten erzeugt. Programm nach Anspruch 21, bei dem die zweite Routine über eine Routine verfügt, die dazu dient, auf Grundlage der komplementär unterteilten Muster, die die erste Routine für jede vorbestimmte Verarbeitungseinheit erzeugt, zu verifizieren, ob für die Komplementär-Stencilmaske Defektmuster erzeugt wurden. Programm nach Anspruch 21, bei dem die zweite Routine über eine Routine verfügt, die dazu dient, auf Grundlage der durch die erste Routine erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten eine Verschiebungskorrekturverarbeitung an zumindest den komplementär unterteilten Mustern unter Verwendung von Innenspannungen der Membran in der Komplementär-Stencilmaske auszuführen und die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verschiebungskorrekturverarbeitung zu erzeugen. Programm nach Anspruch 21, bei dem die zweite Routine über eine Routine verfügt, die dazu dient, auf Grundlage der in der ersten Routine erzeugten komplementär unterteil ten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten eine Verschiebungskorrekturverarbeitung an zumindest den komplementär unterteilten Mustern unter Verwendung mechanischer Eigenschaften der Maskenelemente der Komplementär-Stencilmaske auszuführen und die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verschiebungskorrekturverarbeitung zu erzeugen. Programm nach Anspruch 21, bei dem die zweite Routine über eine Routine verfügt, die dazu dient, auf Grundlage der in der ersten Routine erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten zu verifizieren, ob diese komplementär unterteilten Muster mit Mustern in den Designdaten, entsprechend mehreren Belichtungen, übereinstimmen, und um die Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage von Ergebnissen dieser Verifizierung zu erzeugen. Programm nach Anspruch 21, bei dem — die Maskeneigenschaftsdaten Vorrichtungseigenschaftsdaten betreffend Eigenschaften einer Stencilmaske-Herstellvorrichtung zum Herstellen der Komplementär-Stencilmaske beinhalten; — die erste Routine eine Routine zum Erzeugen von Membrandaten zum Zeichnen der Form der Membran in der Komplementär- Stencilmaske auf Grundlage der Designdaten und der Maskeneigenschaftsdaten beinhaltet; und — das Verfahren ferner, nach der zweiten Routine über eine Routine des Erzeugens von Zeichnungsmembrandaten, um dafür zu sorgen, dass die Stencilmaske-Herstellvorrichtung die Membran zeichnet, sowie Zeichnungsmusterdaten, um dafür zu sorgen, dass sie komplementär unterteilten Muster in der Membran auf Grundlage der Membrandaten, der Daten für die Komplementär-Stencilmaske und der Vorrichtungseigenschaftsdaten zeichnet, verfügt. Programm nach Anspruch 21, bei dem — die erste Routine eine Routine zum Erzeugen von zumindest Ausrichtungsdaten für die Stencilmaske auf Grundlage der Designdaten und der Maskeneigenschaftsdaten verfügt; und — die zweite Routine die Daten für die Komplementär-Stencilmaske einschließlich der Ausrichtungsdaten erzeugt. Maske, die auf Grundlage von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske, die durch eine Maskenbearbeitungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8 erzeugt wurden, hergestellt wurde. Maske, die durch eine Stencilmaske-Herstellvorrichtung auf Grundlage von Zeichnungsmembrandaten und Zeichnungsmusterdaten, die durch eine Maskenbearbeitungsvorrichtung gemäß dem Anspruch 9 erzeugt wurden, hergestellt wurde. Beim herkömmlichen sogenannten Elektronenstrahl-Belichtungsverfahren vom Direktzeichnungstyp sind der Datenumfang umso größer, die Zeichnungszeit umso länger und die Produktivität umso niedriger, je feiner das Muster ist. Als diese Technologie sind z. Eine bei der oben erläuterten Belichtungsvorrichtung verwen dete Elektronenstrahl-Transmissionsmaske ist z. Da jedoch in der Membran Löcher ausgebildet werden, existieren Muster, die nicht hergestellt werden können oder schwierig herzustellen sind, wie torusförmige Muster deren fotomasken erstellen Abschnitte abfallen und Blattmuster von Trägerbalkenstrukturen, die daher instabil sind. Ferner leidet eine sehr fotomasken erstellen Membran, wenn eine solche verwendet wird, unter dem Nachteil, dass durch das Ausbilden von Löchern in ihr Änderungen der internen Spannungen und Änderungen der Musterformen verursacht werden. Aus diesem Grund bestand, um eine Stencilmaske herzustellen, wie sie in einer Belichtungsvorrichtung mit einem Strahl geladener Teilchen verwendet wird, Nachfrage nach einer Vorrichtung und einem verfahren zum Verarbeiten von Daten mit neuen Funktionen, die von denen einer herkömmlichen Datenverarbeitung für eine Maske unter Verwendung von Licht verschieden sind, verfügen. Um die obige Aufgabe zu lösen, ist eine Maskenbearbeitungsvorrichtung gemäß einer ersten Erscheinungsform der Erfin dung eine Maskenbearbeitungsvorrichtung zum Erzeugen komplementärer Stencilmaskendaten mit einer Komplementärunterteilungseinrichtung zum Ausführen einer Komplementärunterteilung für Designdaten für jede vorbestimmte Verarbeitungseinheit zum Erzeugen komplementär unterteilter Muster auf Grundlage der Designdaten und Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften der Komplementär-Stencilmaske angeben; einer Maskendaten-Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen der Daten für die Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Bei der Maskenbearbeitungsvorrichtung gemäß der ersten Erscheinungsform der Erfindung führt die Komplementärunterteilungseinrichtung eine Komplementärunterteilung der Designdaten für jede vorbestimmte Bearbeitungseinheit aus, um komplementär unterteilte Muster auf Grundlage der Designdaten und Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften der komplementären Stencilmasken angeben, zu erzeugen. Die Maskendaten-Erzeugungseinrichtung erzeugt die komplementären Stencilmaskendaten auf Grundlage der durch die Komplementärunterteilungseinrichtung erzeugten komplementären Stencilmaskendaten und der Maskeneigenschaftsdaten. Ferner ist, um die obige Aufgabe zu lösen, als Maskenbearbeitungsverfahren gemäß einer zweiten Erscheinungsform der Erfindung ein Maskenbearbeitungsverfahren einer Maskenbearbeitungsvorrichtung zum Erzeugen komplementärer Stencilmaskendaten mit Folgendem geschaffen: einem ersten Schritt zum komplementären Unterteilen von Designdaten für jede vorbestimmte Erzeugungseinheit, um komplementär unterteilte Muster auf Grundlage der Designdaten und von Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften einer Komple mentär-Stencilmaske angeben, zu erzeugen; und einem zweiten Schritt zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der im ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Ferner ist, um die obige Aufgabe zu lösen, als Programm gemäß einer vierten Erscheinungsform der Erfindung, ein durch eine Informationsverarbeitungsvorrichtung auszuführendes Programm mit Folgendem geschaffen: einer ersten Routine zum komplementären Unterteilen von Designdaten für jede vorbestimmte Erzeugungseinheit, um komplementär unterteilte Muster auf Grundlage der Designdaten und von Maskeneigenschaftsdaten, die zumindest die Eigenschaften einer Komplementär-Stencilmaske angeben, zu erzeugen; und einer zweiten Routine zum Erzeugen von Daten für eine Komplementär-Stencilmaske auf Grundlage der im ersten Schritt erzeugten komplementär unterteilten Muster und der Maskeneigenschaftsdaten. Ferner ist, um die obige Aufgabe zu lösen, die sechste Erscheinungsform der Erfindung auf Grundlage der fotomasken erstellen die Maskenbearbeitungsvorrichtung erzeugten komplementären Stencilmaskendaten fotomasken erstellen. Ferner ist, um die obige Aufgabe zu lösen, die siebte Erscheinungsform der Erfindung durch die Stencilmasken-Erzeugungsvorrichtung auf Grundlage der Zeichnungsmembrandaten und der Zeichnungsmusterdaten, wie durch die Maskenbearbeitungsvorrichtung erzeugt, geschaffen. Ein Maskenbearbeitungssystem 100 verfügt z. Die Maskenbearbeitungsvorrichtung 1 entspricht der Maskenbearbeitungsvorrichtung und der Informations-Verarbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung. Die Maskenherstell-Verarbeitungsvorrichtung 3 und die Maskenherstellvorrichtung 4 entsprechen der Stencilmasken-Herstellvorrichtung gemäß der Erfindung. Die Design-Verarbeitungsvorrichtung 2 erzeugt z. Die Maskenbearbeitungsvorrichtung 1 erzeugt komplementäre Stencilmaskendaten, genauer gesagt, Zeichnungsmembrandaten, Zeichnungsmusterdaten usw. Die Maskenherstell-Verarbeitungsvorrichtung 3 steuert die Maskenherstellvorrichtung 4, damit diese tatsächlich eine gewünschte Maske auf Grundlage der Zeichnungsmembrandaten und der Zeichnungsmusterdaten usw. Die Belichtungs-Verarbeitungsvorrichtung 5 steuert die Belichtungsvorrichtung 6 entsprechend einem vorbestimmten Belichtungsbearbeitungsschritt. Die Belichtungsvorrichtung 6 emittiert z. Die Schaltungsmuster auf dem Wafer werden durch eine nicht dargestellte Ätzvorrichtung geätzt, wodurch gewünschte Schaltungsmuster erzeugt werden. Zum Beispiel wird bei der Belichtungsvorrichtung 6 der vorliegenden Ausführungsform, wenn ein Elektronenstrahl niedriger Energie verwendet wird, zwischen dem Wafer und der Maske ein Zwischenraum von ungefähr 50 μm hergestellt, und die Maske wird mit der Vergrößerung 1 belichtet. Dabei kann der Elektronenstrahl nicht durch das Objekt dringen, weswegen z. Dieses wird unter Bezugnahme auf ein Beispiel eines Torusmusters und eines Blattmusters, die beim Herstellen einer Stencilmaske problematisch werden, erläutert. Zum Beispiel kann im Fall von in der 2A dargestellten Designdaten n1 ein Torusmuster n11 kein Muster n211 im Zentrum unterstützen, wie es in der 2B dargestellt ist, und dies führt daher zu einer herausfallenden Form n21 im Fall einer einfach hergestellten Stencilmaske n2. Wenn diese Stencilmaske n2 zur Belichtung verwendet wird, wird auf einem Wafer n3 ein Muster n31 mit herausgefallenem Zentrum erzeugt, wie es in der 2C dargestellt ist. Ferner verfügt ein Blattmuster n12, wie es in der 2A dargestellt ist, nur über einen kleinen Teil, der den zentralen Vorsprung n211 hält, wie es in der 2B für den Fall einer dünnen Stencilmaske n22 dargestellt ist, so dass aufgrund der Schwerkraft eine Verformung wie ein Herunterhängen auftritt, sich an der Verwindungsstelle Spannungen konzentrieren und sich eine Zerstörung ergeben kann. Wenn diese Stencilmaske n2 zur Belichtung verwendet wird, ergibt sich z. Andererseits können beim Maskenbearbeitungssystem 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform im Fall der in der 2D dargestellten Designdaten n1 durch individuelles, komplementäres Unterteilen der Maskenmuster n21 und n22 in mehrere Muster n201 bis n207 auf mehreren Masken n2000 und n2001, wie es in der 2E dargestellt ist, und durch mehrmaliges Belichten der mehreren Masken n2000 und fotomasken erstellen die gewünschten Muster n301 und n302 auf einem Wafer n300 hergestellt werden, wie es in der 2F dargestellt ist. Die 3A bis 3F sind Diagramme, die ein anderes spezielles Beispiel des Maskenmusters und fotomasken erstellen Komplementärunterteilung, wie in den 2A bis 2F dargestellt, zeigen. Durch mehrfaches Belichten der Stencilmasken n2003 und n2004 wird auf einem Wafer n3000 ein Muster n301 mit gewünschter Torusform ausgebildet, wie es in der 3C dargestellt ist. Ferner wird das in der 2D dargestellte Blattmuster n12 komplementär unterteilt, und fotomasken erstellen wird z. Durch mehrfaches Belichten der Stencilmasken n2005 und n2006 wird, wie es in der 3F dargestellt ist, auf dem Wafer n3001 ein Muster n302 mit gewünschter Torusform erzeugt. Die 4A bis 4C sind Diagramme zum Erläutern des Betriebs des in der 1 dargestellten Maskenbearbeitungssystems. Beispielweise verwendet das Maskenbearbeitungssystem 100 eine Maske mit komplementären Stegen Strebenwodurch sich eine Stegstruktur Strebenstruktur ergibt, um die erforderliche Genauigkeit dieser Komplementärunterteilung, die Herstellung der Maske und die Belichtung zu realisieren und eine Verformung und Zerstörung der Maske aufgrund einer dün nen Membran zu verhindern. Zum Beispiel wird durch die Komplementärunterteilungsverarbeitung, wie fotomasken erstellen die 4A dargestellt, das in dieser 4A dargestellte Muster n101 in den Designdaten n100 in mehrere komplementäre Masken n2007 und n2008 unterteilt, die fotomasken erstellen den Stegen als Muster n241 und Muster n242 versehen sind. Die komplementären Masken n2007 und n2008 sind mit mehreren Stegen b in Gittern ausgebildet. Aus diesem Grund kann, wenn einfach eine Komplementärunterteilung eines Musters ohne Berücksichtigung der Positionen der in den 4A und 4C dargestellten Stege b und a erfolgt, das Muster n242 nicht an einer den Stegen b entsprechenden Position bb hergestellt werden. Wenn eine Mehrfachbelichtung des Wafers n3002 unter Verwendung dieser komplementären Masken n2007 und n2008 erfolgt, werden aufgrund des Einflusses der Träger b Muster n310 und n311 erzeugt, wie es in der 4C dargestellt ist. Die 5A bis 5C sind Diagramme zum Erläutern einer Komplementärunterteilung, wenn vier komplementäre Masken verwendet werden. Das in der 5A dargestellte Muster n101 in den Designdaten n100 wird für mehrere, z. Diese komplementären Masken n2011 bis n2014 sind mit Stegen b ausgebildet. Diese Stege b sind so vorhanden, dass vorbestimmte Positionen mindestens ein Mal belichtet werden, wenn die Belichtungsvorrichtung 6 die geringfügig versetzten Muster unter Verwendung der komplementären Masken n2011 bis n2014 mehrfach belichtet. Die Belichtungsvorrichtung 6 kann mehrere Belichtungen ausführen, während diese komplementären Masken n2011 bis n2014 so versetzt sind, dass auf einem Wafer n3003 ein gewünschtes Muster n320 erzeugt wird. Ferner existiert fotomasken erstellen den komplementären Masken kein unbeleuchteter Abschnitt, wenn die Belichtungsvorrichtung 6 die Mehrfachbelichtung ausführt. Die 6A ist ein Diagramm, das ein spezielles Beispiel einer Komplementär-Stencilmaske, d. Komplementär-Stencilmasken existieren in mehreren Typen abhängig von den Stegpositionen und den Layoutpositionen der Membran, um vorbestimmten Bedingungen zu genügen. Die 7 ist eine Gesamtansicht der in der 6A dargestellten Komplementär-Stencilmaske. Das Zentrum des Siliciumwafers c2 wird mit quadratischer Form entfernt, und in diesem Teil wird eine Membran c3 ausgebildet. Als Halterahmen Rahmen zum Halten der dünnen Membran c3 wird ein Siliciumwafer mit einem Dickfilm am Umfang einer Membran c3 verwendet. Die Stege c4 sind diejenigen Teile, die nach der Herstellung mehrerer Öffnungen im Siliciumwafer c2 verblieben sind. Abschlussenden aller Stege c4 sind mit dem Rahmen oder anderen Fotomasken erstellen c4 verbunden. fotomasken erstellen Es existiert kein Teil, in dem die Stege c4 unterbrochen wären. Die Stege c4 sind mit Säumen geringer Breite parallel zu den Stegen c4 an den Membranen c3 an den zwei Seiten versehen. Nachfolgend erfolgt eine Erläuterung zum Layout der Stege bei der in der 7 dargestellten Stencilmaske. Die 8 ist ein vergrößertes Diagramm der Umgebung fotomasken erstellen Zentrums der in der 7 dargestellten Membran c3. In der 8 sind die Stegzonen c6 anstelle der in der 7 dargestellten Stege c4 dargestellt. Der durch fotomasken erstellen Stegzonen c6 umgebene quadratische Teil bildet einen Musterbereich c7. Fotomasken erstellen Membran c4 muss nicht streng über quadratische Form verfügen. Die Stege c4 der 7 sind in diesen Stegzonen c6 ausgebildet. Das Intervall zwischen den Stegzonen c6, d. Die 9 ist eine Schnittansicht der in der 7 dargestellten Stencilmaske c1. Die Membran c3 der Stencilmaske c1 ist z. Die Membran c3 ist Teil einer Membranbildungsschicht c3a. Der Siliciumwafer c2 am Umfang der Membran c3 bildet einen Rahmen c9 zum Halten der Membran c3. Die Stege c4 sind mit konstanten Intervallen fotomasken erstellen der Ebene der Membran c3 an der Seite des Rahmens c9 ausgebildet. Es ist zu beachten, dass beim Prozess zum Herstellen der Stencilmaske c1 ein Siliciumoxidfilm c10 als Ätzstoppschicht hergestellt wird. Die Stencilmaske c1 ist so ausgebildet, dass die Fläche an der Seite der Membran c3 näher an derjenigen Waferfläche liegt, auf die die Muster übertragen werden. Wenn die Stencilmaske c1 durch den Elektronenstrahl von der Seite des Rahmens c9 her abgescannt wird, durchdringt dieser nur die Teile der Löcher c8, so dass die Muster auf den Resist auf dem Wafer übertragen werden. Die Stencilmaske c1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann in den Teilen des Stegs 4 keine Löcher 8 bilden. Im Allgemeinen ist es einfacher, den Wafer zu verstellen, während die Stencilmaske c1 unverändert an ihrem Ort fixiert bleibt. Nach dem Verstellen des Wafers wird die Stencilmaske c1 erneut durch den Elektronenstrahl abgescannt. Dadurch werden in den Abschnitten der Stege c4 vorhandene Muster ebenfalls komplementär an den Resist übertragen. Die 10 ist eine perspektivische Ansicht unter Vergrößerung eines der Membranteilbereiche c5 und der Stege c4 am Umfang derselben. Die Membran c3 ist durch die Stege c4 in Membranteilbereiche c5 unterteilt, wie es in der 10 dargestellt ist. In den Abschnitten des Stegs c4 können keine den Mustern entsprechende Löcher c8 ausgebildet werden, jedoch sind sie in den Teilen der Membranteilbereiche c5 der Membran c3 ausgebildet. Im dargestellten Membranteilbereich c5 entspricht der durch die gestrichelte Linie umgebene Abschnitt dem in der 8 dargestellten Musterbereich. Im Membranteilbereich c5 entspricht der äußere Abschnitt des Musterbereichs c7 den Säumen c11. Die durch Kombinieren der Stege c3 und der Säume c11 an den beiden Seiten derselben gebildeten Abschnitte entsprechen den in der 8 dargestellten Stegzonen c6. Im Prinzip werden die Löcher c8 im Musterbereich c7 hergestellt, jedoch können sie in einigen Fällen auch so hergestellt fotomasken erstellen, dass sie nach außen zu Teilen der Säume c11 vorstehen. Die 11 ist eine Schnittansicht unter Vergrößerung der Umgebung eines in der fotomasken erstellen dargestellten Stegs c4. Wie es in der 11 dargestellt ist, ist eine Breite, die dadurch erhalten wird, dass die Breite W4 des Stegs c4 und die Breiten W11 der Säume c11 an dessen beiden Seiten kombiniert werden, die Breite W6 der Stegzone c6. Die Breite W4 des Stegs c4 kann auf z. Jeder Saum c11 ist ferner in einen Fotomasken erstellen c12 und einen Freibereich c13 unterteilt. Der Toleranzbereich c12 liegt auf der Seite des Musterbereichs c7 und der Freibereich c13 liegt auf der Seite des Stegs c4. Nachfolgend erfolgt eine Erläuterung zum Toleranzbereich c12 und zum Freibereich c13. Die Muster werden durch eine Mehrfachbelichtung zusammengeheftet. fotomasken erstellen Insbesondere dann, wenn ein feines Muster mit einer besonders schmalen Linienbreite, z. Daher ist am Umfang des Musterbereichs c7 der Toleranzbereich c12 vorhanden, der die Ausbildung von Löchern c8 ermöglicht. Die Breite W12 des Toleranzbereichs c12 fotomasken erstellen frei eingestellt werden, jedoch wird, wenn die Breite W12 groß gemacht wird, der ursprüngliche Bereich für die Muster, d. Demgemäß wird die Breite W12 auf z. Der Bereich des Einfallswinkels α des Elektronenstrahls beträgt im Allgemeinen ungefähr 0 bis 10 mrad. Wenn ein Wafer von 8 Zoll zum Herstellen der Stencilmaske verwendet wird, entspricht die Höhe H4 der Stege c4 der Dicke von 725 μm des Siliciumwafers von 8 Zoll. Wie es in der 11 dargestellt ist, wird, wenn der Elektronenstrahl c14 schräg auf die Membran c3 fällt, in der Nähe des Stegs c4 ein Bereich erzeugt, in den der Elektro nenstrahl c14 nicht gestrahlt wird. Die Maskenbearbeitungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform stellt Routinen zur Maskendatenverarbeitung bereit, um es zu ermöglichen, z. Genauer gesagt, erstellt die Maskenbearbeitungsvorrichtung 1 die Vorrichtungeigenschaftsdaten der verwendeten Belichtungsvorrichtung 6 auf Grundlage der in der Design-Verarbeitungsvorrichtung 2 erstellten Designdaten und der komplementären Stencilmaskendaten, fotomasken erstellen gesagt, der Daten zum Zeichnen der Maske auf Grundlage von Parametern, die Information beschreiben, wie die Maskeneigenschaftsdaten der Maske usw. Die 12 ist ein hardwareähnliches Blockdiagramm einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maskenbearbeitungsvorrichtung. Beispielsweise kann der Eingangsabschnitt 11 Designdaten, Maskendaten usw. Die Speichereinheit 15 verfügt z. Das Programm 150 enthält z. Die Designdaten 151 entsprechen den Designdaten z. Die Parameter 152 beinhalten z. Zum Beispiel beinhalten die Parameter 152 Parameter, die den Bearbeitungstyp der Belichtungsvorrichtung 6, Maskeninformation, z. Die 13 ist ein Diagramm, das eine Ausführungsform des softwareartigen Funktionsblocks der in der 1 dargestellten Vorrichtung zeigt. Die Ausrichtungsmarkierungs-Erzeugungseinheit 1601 erzeugt auf Grundlage der Designdaten 151 und des Parameters 152 Ausrichtungsmarkierungen d1601. Zum Beispiel erzeugt die Ausrichtungsmarkierungs-Erzeugungseinheit 1601, detailliert, Maskenausrichtungsmarkierungen d16011 sowie Wafer-Ausrichtungsmarkierungen d16012 auf Grundlage der Datendesigndaten 151 und der Parameter 152. Die Masken-Ausrichtungsmarkierung d16011 sind solche für die Maske, während die Wafer-Ausrichtungsmarkierungen d16012 solche sind, die zur Verwendung bei der Ausrichtung im später erläuterten Schritt auf dem Wafer als Muster ausgebildet sind. Aus diesem Grund wird z. Genauer gesagt, wird, wie es beispielhaft in der 14 dargestellt ist, die Maske C1 mit mehreren Masken-Ausrichtungsmarkierungen d16011, z. Löchern, versehen, während der Wafer wf3 mit mehreren Wafer-Ausrichtungsmarkierungen d16012, z. Weißes Licht lt4 wird aus einer schrägen Richtung, z. Dabei werden, auf Grundlage des Streulichts und des reflektierten Lichts lt5 an den Masken-Ausrichtungsmarkierungen d16011 und den Wafer-Ausrichtungsmarkierungen d16012 der Versatz, die Drehung, die Vergrößerung usw. Wie oben erläutert, wird auf die Masken-Ausrichtungsmarkierungen d16011 und die Wafer-Ausrichtungsmarkierungen d16012 Bezug genommen, wenn eine Mehrfachbelichtung des Wafers wf3 unter Verwendung der Maske c1 durch die Belichtungsvorrichtung 6 erfolgt, weswegen die Ausrichtungsmarkierungs-Erzeugungseinheit 1601 das Layout der Masken-Ausrichtungsmarkierungen d16011 und der Wafer-Ausrichtungsmarkierungen d16012 auf Grundlage der Parameter 152, einschließlich der Vorrichtungseigenschaftsdaten der Belichtungsvorrichtung 6 usw. Die 15 ist ein Diagramm zum Erläutern der Beziehung zwischen den Designdaten und der Maske. Wie es in der 15 schematisch dargestellt ist, wird bei der später erläuterten Membrandaten-Herstellverarbeitung der Bereich zum Herstellen der Membran c3 entsprechend den Designdaten auch als Layoutinformation des Chips bezeichnet n1 und der Ausrichtungsmarkierungen d1601 usw. Die Membranform-Designeinheit 1602 erzeugt auf Grundlage der Designdaten 151, der Parameter 152 sowie der von der Ausrichtungsmarkierungs-Erzeugungseinheit 1601 ausgegebenen Ausrichtungsmarkierungen d1601 eine vorbestimmte Membranform. Die 16A und 16B sind Diagramme, die spezielle Beispiele der Maske gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Information wie eine Breite von 1 mm der Stege c4 und eine Breite von 4 mm der Membran c3. Zum Bei spiel beinhalten diese Daten die Information, die z. Die Breiten des Stegs c4 und der Membran c3 differieren abhängig vom für die Stencilmasken c1 und cc2 verwendeten Material, dem Maskenprozess usw. Die 17A bis 17D sind Diagramme zum Erläutern des Einheitsfelds einer Maske. Die 17A ist ein Diagramm zum Erläutern des Einheitsfelds der ersten Komplementärmaske, und die 16B ist ein Diagramm zum Erläutern des Einheitsfelds der zweiten Komplementärmaske. Die 18A ist ein Diagramm unter Vergrößerung eines Teils der 17A, und die 18B ist ein Diagramm unter Vergrößerung eines Teils der 17C. Jedoch differieren bei der ersten und der zweiten Komplementärmaske die Maskenformen so, wie es in den 17A und 17B dargestellt ist, weswegen die minimalen Verarbeitungsbereiche zum Erstellen der Maske differieren. Daher kann die Verarbeitung komplexer Komplementärmasken mittels einer einfachen Komplementärunterteilungs funktion bewerkstelligt werden. Die 19A bis 19F sind Diagramme zum Erläutern der Grenzverarbeitung. Nun wird das nachteilige Muster erläutert. Dabei ergibt sich dann, wenn z. Die 20A bis 20D sind Diagramme zum Erläutern der Grenzverarbeitung. Die 21 ist ein Diagramm zum Entnehmen der kleinsten Muster, die mehrfach zu belichten sind, fotomasken erstellen Sektionen der in der 8 dargestellten Stencilmaske. Die 22 ist ein Diagramm zum Erläutern der Sektion, in fotomasken erstellen die Positionsinformation zu den Stegen der in der 22 dargestellten Mustern angeordnet werden kann. In der 23 ist eine zum Steg bm benachbarte Seite durch eine fette Linie dargestellt. Ein Bereich 1 entspricht einem Bereich A1 und einem Bereich D1. Die rechte Seite und die Unterseite des Bereichs D1 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 2 entspricht einem Bereich A2 und einem Bereich B2. Die linke Seite des Bereichs B2 überlappt mit dem Steg bm. Ein Bereich 3 entspricht einem Bereich A3, einem Bereich B3 und einem Bereich D3. Die rechte Seite des Bereichs A3, die Oberseite des Bereichs B3 und die linke Seite und die Unterseite des Bereichs B3 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 4 entspricht einem Bereich B3 und einem Bereich D4. Die Oberseite des Bereichs B4 und die Unterseite des Bereichs D4 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 5 entspricht einem Bereich A5, einem Bereich B5 und einem Bereich D5. Die linke Seite des Bereichs A5, die Oberseite und die rechte Seite des Bereichs B5 sowie die Unterseite des Bereichs D5 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 6 entspricht einem Bereich A6 und einem Bereich C6. Die Oberseite und die linke Seite des Bereichs C6 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 7 entspricht einem Bereich A7, einem Bereich B7 und einem Bereich C7. Die linke Seite des Bereichs B7 und die Oberseite des Bereichs C7 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 8 entspricht einem Bereich A8, einem Bereich B8 und einem Bereich C8. Die rechte Seite des Bereichs A8 und die Oberseite des Bereichs C8 überlappen mit den Stegen bm. Ein Bereich 9 entspricht einem Bereich B9 und einem Bereich C9. Die Stege bm überlappen mit der Oberseite und der rechten Seite des Bereichs C9. Ein Bereich 10 entspricht einem Bereich A10 und einem Bereich B10. Die Fotomasken erstellen bm überlappen mit der linken Seite des Bereichs A10 und der rechten Seite des Bereichs B10. Ein Bereich 11 entspricht einem Bereich A11, einem Bereich C11 und einem Bereich D11. Die Stege bm überlappen mit der Unterseite des Bereichs A11, der linken Seite des Bereichs C11 und der Fotomasken erstellen und der rechten Seite des Bereichs D11. Ein Bereich 12 entspricht einem Bereich A12, einem Bereich B12 und einem Bereich C12. Die Stege bm überlappen mit der Unterseite des Bereichs A12 und der linken Seite des Bereichs B12. Ein Bereich 13 entspricht einem Bereich A13, einem Bereich B13, einem Bereich C13 und einem Bereich D13. Die Stege bm überlappen mit der Unterseite und der rechten Seite des Bereichs A13 sowie der Oberseite und der linken Seite des Bereichs D13. Ein Bereich 14 entspricht einem Bereich B14, einem Bereich C14 und einem Bereich D14. Die Stege bm überlappen mit der rechten Seite des Bereichs C14 und der Oberseite des Bereichs D14. Ein Bereich 15 entspricht einem Bereich A15, einem Bereich B15 und einem Bereich D15. Die Stege bm überlappen mit der linken Seite und der Unterseite des Bereichs A15, der rechten Seite des Bereichs B15 und der Oberseite des Bereichs D15. Ein Bereich 15 entspricht einem Bereich C16 und einem Bereich D16. Die Stege bm überlappen mit der linken Seite des Bereichs C16 und der rechten Seite des Bereichs D16. Ein Bereich 17 entspricht einem Bereich B17 und einen Bereich C17. Die Stege bm überlappen mit der linken Seite und der Unterseite des Bereichs B17. Ein Bereich 18 entspricht einem Bereich B18, einem Bereich C18 und einem Bereich D18. Die Stege bm überlappen mit der Unterseite des Fotomasken erstellen B18 und der linken Seite des Bereichs D18. Der Bereich 19 entspricht einem Bereich B19, einem Bereich C19 und einem Bereich D19. Die Stege bm überlappen mit der Unterseite des Bereichs B19 und der rechten Seite des Bereichs C18. Ein Bereich 20 entspricht einem Bereich B20 und einem Bereich D20. Die Stege bm überlappen mit der rechten Seite und der Unterseite des Bereichs B20. Der Bereich 21 entspricht einem Bereich A21, einem Bereich C21 und einem Bereich D21. Die Stege bm überlappen mit der Oberseite des Bereichs A21, der linken Seite und der Unterseite des Bereichs C21 sowie der rechten Seite des Bereichs D21. Ein Bereich 22 entspricht einem Bereich A22 und einem Bereich B22. Die Stege bm überlappen mit der Oberseite des Bereichs A22 und der Unterseite des Bereichs B22. Ein Bereich 23 entspricht einem Bereich A23, einem Bereich C23 und einem Bereich D23. Die Stege bm überlappen mit der Oberseite und der rechten Seite des Bereichs A23, der Unterseite des Bereichs C23 sowie der rechten Seite des Bereichs D23. Ein Bereich 24 entspricht einem Bereich C24 und einem Bereich D24. Der Steg bm überlappt mit der rechten Seite des Bereichs C24. Ein Bereich 25 entspricht einem Bereich A25 und einem Bereich D25. Der Steg bm überlappt mit der Oberseite des Bereichs A25. Die 24 ist ein Diagramm, das ein spezielles Beispiel des Layouts zeigt. Genauer gesagt, ist, wie es in der 24 dargestellt ist, das Muster P31 im Bereich A1 angeordnet, die Muster P33, P34 und P36 sind im Bereich A2 angeordnet, und die Muster P35 und P37 sind im Bereich B2 angeordnet, und das Muster P32 ist im Bereich D1 angeordnet. Die Komplementärunterteilungseinheit 1604 führt die Komplementärunterteilungsverarbeitung auf Grundlage der Fotomasken erstellen aus, wie oben erläutert. Zu Fotomasken erstellen der Komplementärunterteilung können einige bekannte Techniken ausgewählt werden, wie das japanische Patent Nr. Zum Beispiel ist die Komplementärunterteilungsverarbeitung gemäß der derzeit bekannten Technik in vielen Fällen eine Komplementärunterteilung in zwei. Die Komplementärunterteilungseinheit 1604 führt dem Grunde nach eine Verarbeitung aus, um den Mustern drei komplementär unterteilte Muster oder mehr zuzuweisen, wenn die zwei komplementär unterteilten Muster zugewiesen werden. Manchmal leidet die Heftungsgenauigkeit der komplementär unterteilten Muster unter einem Nachteil beim Ausführen einer Mehrfachbelichtung unter Verwendung der komplementär unterteilten Muster zum Erzeugen der gewünschten Muster. Aus diesem Grund fügt der Heftungsabschnitt 1605 zu den Teilabschnitten vorbestimmte Muster hinzu, oder er erweitert Muster, wenn die Komplementärunterteilungseinheit 1604 die Komplementärunterteilungsverarbeitung ausführt. Die 25A bis 25C sind Diagramme zum Erläutern der Hef tungsgenauigkeit bei einer Mehrfachbelichtung. Genauer gesagt, wird, wenn eine Mehrfachbelichtung eines Wafers unter Verwendung z. Innerhalb des Übertragungsmusters e300 sind Muster e311, e312, e321 und e322 ausgebildet, jedoch tritt bei einer Mehrfachbelichtung unter Verwendung von z. Als Verfahren zum Verhindern dieser Trennung ist, wie es z. Die 26A bis 26C sind Diagramme zum Erläutern des Heftungsvorgangs. Wenn in einem späteren Schritt eine Belichtungsvorrichtung hoher Energie verwendet wird und vorbestimmte Muster einfach addiert werden, können die Muster vergrößert werden. Daher fügt der Heftungsabschnitt 1605 Muster hinzu, die kleiner als die vorbestimmten Muster sind, um eine Mustervergrößerung zu unterdrücken. Dabei wird die in z. Ferner existiert, wenn zum Belichten in einem späteren Schritt eine Belichtungsvorrichtung niedriger Energie verwendet wird, beinahe keine Vergrößerung der Muster, so dass der Heftungsabschnitt 1605 feine Muster zur Korrektur hinzufügt. Die 27A bis 27C sind Diagramme zum Erläutern des Heftungsvorgangs. Der Heftungsabschnitt 1605 fügt Muster e111, e121 und e221 hinzu, um eine Trennung zu verhindern, wenn die Komplementärunterteilung zu einer Unterteilung der Komplementärmaske e1 mit den in der 27A dargestellten komplementären Mustern e11 und e12 und fotomasken erstellen Komplementärmaske e2 mit den in der 27B dargestellten komplementären Mustern e21 und e22 führt. Wenn die sich ergebenden Komplementärmasken e1 und e2 zur Mehrfachbelichtung verwendet werden, kann, wie es beispielsweise in der 27C dargestellt ist, ein Übertragungsmuster e400 erzeugt werden, in dem Muster e411 und e421 verbunden sind und ein Muster e412 verbunden ist. Die 28 ist ein Diagramm zum Erläutern der Verarbeitung durch die Musterform-Verifiziereinheit zum Erkennen eines Torusmusters. Die Musterform-Verifiziereinheit 1607 erkennt ein Defektmuster, z. Die Musterform-Verifiziereinheit 1607 definiert ein Muster mit zwei oder mehr Ecken, die zwei oder mehrmals durchlaufen werden, wenn z. Genauer gesagt, werden, wie es in der 28 dargestellt ist, wenn ein Muster 21 unter Verwendung einer Ecke A als Startpunkt und Endpunkt mit einem Strich gezogen wird, die Ecken wie folgt durchlaufen. Nach dem sequenziellen Durchlaufen der Ecke A, der Ecke B. Ferner wird nach dem sequenziellen Durchlaufen der Ecke G, der Ecke H und der Ecke I zur Ecke E am Außenumfang des Musters 51 zurückgekehrt. Das Durchfahren endet an der Ecke A. Dabei entspricht die Anzahl der Ecken, die mehrmals durchfahren werden drei Ecken, nämlich der zwei Mal durchfahrenen Ecke A, der zwei mal durchfahrenen Ecke E und ferner der zwei Mal durchfahrenen Ecke I Hinweis: ein Mal durchfahren. Wie oben beschrieben, erkennt die Musterform-Verifiziereinheit 1607, wenn das Zeichnen eines Musters beendet ist und wenn zwei oder mehr Ecken vorliegen, die als Ecken gezählt werden, die beim Zeichnen des Musters mit einem Strich zwei oder mehrmals durchlaufen werden, dieses Muster als Defektmuster. Die an den zwei Enden dieser Seite erzeugten Ecken werden jeweils zwei Mal durchlaufen. Die 29 bis 31 sind Diagramme zum Erläutern der Verarbeitung durch die Musterform-Verifiziereinheit zum Erkennen von Blattmustern. Die Musterform-Verifiziereinheit 1607 erkennt Blattmuster, wie sie beispielhaft in den 29 und 31 dargestellt sind, wie folgt. Die Musterform-Verifiziereinheit 1607 beurteilt ein Muster fotomasken erstellen einer Ecke mit einem Wert von Innenwinkel — 180° entsprechend einem vorbestimmten Wert oder mehr sowie ein Muster mit Ecken mit Innenwinkeln über 180°, die kontinuierlich vorliegen und eine Summe von Innenwinkel — 180° an diesen aufeinanderfolgenden Ecken entsprechend einem vorbestimmten Wert oder mehr bilden, als Defektmuster. Genauer gesagt, werden, beispielsweise für ein in der 29 dargestelltes Muster 52, die Innenwinkel Θ der Ecken in der Abfolge der Ecke A, Ecke B. Wenn dabei, auf Grundlage der erfassten Innenwinkel, das Muster über eine Ecke mit einem Wert Innenwinkel Θ — 180° entsprechend einem vorbestimmten Wert Θs oder mehr verfügt, wird dieses Belichtungsmuster als Defektmuster entnommen. Zum Beispiel wird der vorbestimmte Wert Θs auf 90° eingestellt. Auf dieselbe Weise erkennt z. Ferner entnimmt die Einheit gleichzeitig Defektmuster wie folgt auf Grundlage der Innenwinkel der Muster. Erstens berechnet fotomasken erstellen Einheit, beim sequenziellen Erfassen der Innenwinkel Θ entlang der Muster, wenn ein erfasster Innenwinkel Θ 180° überschreitet, den Wert Innenwinkel Θ — 180° an dieser Ecke. Wenn dann der Innenwinkel der kontinuierlich angeordneten nächsten Ecke 180° überschreitet, berechnet sie den Wert Innenwinkel Θ — 180° an dieser Ecke, und sie addiert sie zum Wert Innenwinkel Θ — 180° an der vorigen Ecke. Wenn andererseits der Innenwinkel Θ der nächsten Ecke 180° nicht überschreitet, löscht sie diesen kumulativen Wert und stellt ihn auf 0 zurück. Dann entnimmt sie Muster mit einem kumulativen Wert entsprechend einem vorbestimmten Wert von Θss oder mehr als Defektmuster. Hierbei wird der vorbestimmte Wert Θss auf z. Auf dieselbe Weise addiert, beim in der 31 dargestellten Muster 54, wenn die Innenwinkel Θ von der Ecke C bis zur Ecke J im den Blattzustandsbereich b umgebenden Muster 54 225° betragen, die Einheit diese Innenwinkel, wenn sie diese sequenziell ausgehend von der Ecke A erfasst, wobei als Erstes an der Ecke C der Wert Innenwinkel Θ — 180° 45° wird und an der kontinuierlich daran anschließenden Ecke D der Wert Innenwinkel Θ — 180° 45° wird. Es ist zu beachten, dass selbst dann, wenn der vorbestimmte Wert Θss auf z. Ferner kann durch Einstellen von Θs und Θss das Vorstehausmaß des Blattzustandsbereichs b, wie durch die Musterform- Verifiziereinheit 1607 erfasst, eingestellt werden. Ferner erfasst die Musterform-Verifiziereinheit 1607 ein Muster mit z. Dies, da ein Muster mit langer Form dazu neigt, im zentralen Bereich in der Längsrichtung eine Verformung zu verursachen, wenn das Muster in einer Stencilmaske als reelles Muster hergestellt wird. Die durch die Musterform-Verifiziereinheit 1607 erfassten, oben erläuterten Muster werden z. Die 32 ist ein Diagramm zum Erläutern einer Verformung aufgrund eines in einer Stencilmaske erzeugten Lochs. Zum Beispiel tritt, wie es schematisch in der 32 dargestellt ist, dort, wo in der Membran c3 ein dem Muster entsprechendes Loch h1 ausgebildet ist, eine Musterverschiebung entsprechend dem Loch auf. Dies, da in fotomasken erstellen Membran c3 eine konstante Innenspannung wirkt und sich diese durch Herstellen des Lochs h1 in der Membran c3 ändert. Es existiert keine Methode zum Verhindern dieser Musterverschiebung. Die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 berechnet einen Verschiebungswert, wie er auftritt, wenn das Loch h1 entsprechend den durch die Musterform-Verifiziereinheit 1607 verifizierten Komplementärmustern in der Membran c3 entsprechend den Designdaten 151 und den Parametern 152 hergestellt wird, und sie führt eine Korrekturverarbeitung für die Daten der Komplementär-Stencilmaske aus, um das gewünschte Muster als Ergebnis der Verschiebung entsprechend dem Rechenergebnis zu erhalten. Genauer gesagt, betrachtet die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608, da die Membran c3 durch die Stege c4 fixiert ist und daher nur ein geringer Einfluss der Muster in der Membran c3 auf die Stege c4 besteht, diese Stege c4 als starre Körper, und sie führt die Analyse in Einheiten der Membran c3 aus. Die Membran c3 wird entsprechend dem Komplementärmuster s mit dem Loch h1 versehen, weswegen die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 die Verschiebung für jede Membran berechnet. Die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 führt die Verschiebungsanalyse in der Membran durch z. Dabei wird viel Analysezeit verbraucht, da in der Membran sehr viele Löcher Muster h1 existieren. Die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 der vorliegenden Ausführungsform analysiert die Verschiebung in der Membran durch eine Hochgeschwindigkeits-Verschiebungsanalyse. Die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 unterteilt die Analyse eines Objekts fpr in einfache Elemente, wie es beispielhaft in der 32 dargestellt ist, um die Spannung der Form des Objekts zu analysieren, wenn durch z. Dabei unterteilt sie die Maskenfläche, die nicht den Löchern entspricht, entsprechend den komplementären Mustern, fotomasken erstellen einen Satz z. Es ist auch möglich, die Fläche hinsichtlich der Unterteilungselemente in quadratische Elemente oder komplexe Elemente, wobei jede Elementseite Analyseknoten enthält, also nicht Dreieckselemente, zu unterteilen. Im Fall von Dreieckselementen findet die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 den Verschiebungswert entsprechend der Spannungsanalyse in jeder Ecke des Dreiecks für jedes Element. Zum Beispiel ist das in der 32 dargestellte Loch h1 ein Quadrat mit Seiten von 10 μm, während Löcher h2 Quadrate mit Seiten von 100 nm sind. Bei der Spannungsanalyse gemäß der Finite-Elemente-Methode wird ein Element in einem Bereich, in dem eine große Spannungsänderung leichte Spannungskonzentration zu erwarten ist, oder in einem Bereich, in dem wünschenswerterweise eine genaue Analyse ausgeführt wird, z. Dabei wird der Umfangsbereich des Lochs h2 mit kleinerer Größe als der vorbestimmten Größe in übliche Elemente unterteilt. Dies, da sich das gewünschte Muster selbst dann ergibt, wenn Löcher h2 mit weniger als der vorbestimmten Größe nicht stark korrigiert werden, da davon ausgegangen wird, dass der Formänderungsgrad innerhalb eines zulässigen Bereichs liegt. Durch diese Vorgehensweise kann die Finite-Elemente-Methode mit hoher Geschwindigkeit ausgeführt werden. Ferner wird die vorbestimmte Größe durch die Beziehung zwischen der Abmessungsgenauigkeit, wie sie für die für das Halbleiterbauteil verwendete Stencilmaske zulässig ist, und dem Änderungsgrad des Musters in Bezug auf die Spannungen, wie entsprechend dem Material und der Dicke der Stencilmaske aufgefunden, bestimmt. Die 33A ist ein Diagramm, das ein Loch Muster mit gekrümmtem Verlauf als Fotomasken erstellen der Korrekturverarbeitung entsprechend den Ergebnissen der Spannungsanalyse zeigt. Die 33B ist ein Diagramm, das ein Muster zeigt, das durch Korrigieren von Stufenformen als Ergebnis der Korrekturverarbeitung erhalten wurde. Die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 berechnet den obigen Verschiebungswert, und sie erzeugt auf Grundlage des Rechenergebnisses einen Korrekturwert. Dieser Korrekturwert ist ein Wert, der anzeigt, in welchem Ausmaß jeder Knoten unabhängig zu korrigieren ist. Wenn die Korrektur unter Verwendung dieses Werts als solchem ausgeführt wird, wird das Loch h1 zu einer Kurve mit einer Kontur mit z. Die Erzeugung einer großen Anzahl von Mustern mit derartigen Kurven erhöht die Belastung der Maskendatenverarbeitung und des Maskenherstellprozesses. Aus diesem Grund findet die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 die bei der Korrekturverarbeitung zulässige Genauigkeit aus der zulässigen Genauigkeit bei der Maskenherstellung heraus, sie findet eine zu Korrekturzwecken fotomasken erstellen Schrittweite unter Verwendung dieses Werts als Standard heraus, sie korrigiert des Loch h1 für den Abschnitt, der zur Kurve mit der zulässigen Schrittweite wird, auf die Stufenformen, wie sie beispielhaft in der 33B dargestellt sind, und sie löst die Kurve auf, um dadurch ein Loch h1b zu erzeugen, das nur aus vertikalen und horizontalen Linien besteht. Durch diese Vorgehensweise wird eine übermäßige Belastung aufgrund der Kurven für sowohl die Datenverarbeitung als auch die Maskenherstellung verringert. Die 34 ist ein Diagramm, das ein spezielles Beispiel der Fotomasken erstellen der Intra-Membran-Korrektureinheit zeigt. Ferner berechnet die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 eine Öffnungsmuster-Bereichsdichte Öffnungs-Bereichsdichte auf Grundlage des Bereichs der Lochmuster in der Membran, und sie stellt die Dicke einer gedachten Membran entsprechend der Muster-Bereichsdichte ein. Zum Beispiel stellt die Einheit, genauer gesagt, wie es in der 34 dargestellt ist, die Membran so ein, dass sie gedacht dünner als eine vorbestimmte Dicke ist, je größer das Element hinsichtlich der Muster-Bereichsdichte ist. Bei der vorliegenden Ausführungsform verfügt z. Dann nähert die Einheit die Elastizitätsmatrix jedes Elements mit einem Loch Muster und mit einer vorbestimmten Dicke durch eine Pseudo-Elastizitätsmatrix jedes Elements ohne Loch und mit einer virtuellen Dicke an, sie analysiert dies durch die Finite-Elemente-Methode, und sie korrigiert die Form und die Position des Lochs Musters entsprechend den Ergebnissen. Hierbei ist eine Elastizitätsmatrix ein Wert, der die Beziehung zwischen der Spannung und der Verschiebung ausdrückt, während eine Pseudo-Elastizitätsmatrix eine Elastizitätsmatrix für den Fall ist, dass eine virtuelle Dicke entsprechend der Muster-Bereichsdichte ohne ein Loch Muster vergeben ist. Die Maskenkonfigurationseinheit 1609 führt in der Membran eine Korrektur für einen Chip auf Grundlage der durch die Intra-Membran-Korrektureinheit 1608 korrigierten Daten und der Parameter 152 aus, und sie verlegt den korrigierten Chip entsprechend der Maskenkonstitution. Für die Verschiebung in der Membran wird an allen Positionen auf der Maske dasselbe Ergebnis erhalten, insoweit die Muster in der Membran dieselben sind. Durch Ausführen dieser Verifizierung kann die Belichtungsgenauigkeit garantiert werden. Die 35A ist eine Schnittansicht, die schematisch die Stencilmaske bei ihrer Herstellung zeigt, während die 35B eine Schnittansicht ist, die schematisch die Stencilmaske bei ihrem Gebrauch zeigt. Die 36A bis 36B sind Diagramme zum Erläutern der Verschiebungskorrektur. Beim Herstellen der Maske wird, genauer gesagt beim Ziehen der Maske, wenn Muster in die Membran geätzt werden, wie es in der 35A dargestellt ist, die Membran c3 so herge stellt, dass sie über den Stegen c4 liegt. Beim Gebrauch der Maske, genauer gesagt beim Belichten durch z. Daher führt die Maskenumkehr-Korrektureinheit 1611 die Verarbeitung zum Korrigieren der Verformung aufgrund der Biegeänderung auf Grundlage von Daten, die die mechanischen Eigenschaften der Maske angeben und in den Datenparametern 152 erhalten sind, und der komplementären Musterdaten aus, die durch die Belichtungsverifiziereinheit 1610 verifiziert wurden. Genauer gesagt, hängt die Verformung aufgrund dieser Maskenumkehrung nicht von fotomasken erstellen Mustern in der Membran ab, weswegen der Verformungswert auf die Muster in jeder Membran aus dem Verformungsprofil angewandt wird, das als Ergebnis der Analyse des Verformungswerts aufgrund der Maskenstruktur oder des Ergebnisses durch Versuche erstellt wurde. Die Korrekturergebnis-Verifiziereinheit 1612 verifiziert, ob das Verarbeitungsergebnis, als Ergebnis der Maskenumkehrkor rektur durch die Maskenumkehr-Korrektureinheit 1611, auf Grundlage der Designdaten 151 und der Parameter 152, zu den korrekten Mustern wird. Der Korrekturwert wird durch Kumulation analysiert, weswegen es deutlich ist, dass die Ergebnisse selbst dann gleich werden, wenn dieselbe Simulation verwendet wird. Die Korrekturergebnis-Verifiziereinheit 1612 gemäß der vorliegenden Ausführungsform simuliert zur Verifizierung die Verformungskorrektur unter Verwendung eines Algorithmus, der verschieden von dem ist, der in der Maskenumkehr-Korrekturverarbeitung verwendet wird. Dadurch wird eine Verifizierung mit hoher Zuverlässigkeit möglich. Genauer gesagt, vergleicht die Korrekturergebnis-Verifiziereinheit 1612 die korrigierten Designdaten auf Grundlage der Simulationsergebnisse unter Bedingungen der Maskenverformung und der Membranverformung mit den ursprünglichen Designdaten 151, und sie beurteilt, ob die Differenz innerhalb des Genauigkeitsbereich liegt oder nicht. Wenn sie innerhalb des Genauigkeitsbereichs liegt, gibt die Korrekturergebnis-Verifiziereinheit 1612 die durch die obige Verarbeitungsreihe erzeugten korrigierten Stencilmaskendaten an die Datenwandlereinheit 1613 aus. Die Datenwandlereinheit 1613 erzeugt die Zeichnungsmembrandaten d16131, um dafür zu sorgen, dass die Maskenherstellvorrichtung 4, wie sie beispielsweise in der 1 dargestellt ist, die Membran herstellt, und sie erzeugt die Zeichnungsmusterdaten d16132, um dafür zu sorgen, dass die Maskenherstellvorrichtung 4 die Muster auf Grundlage der von der Membranform-Designeinheit 1602 ausgegebenen Daten zum Erzeugen der Membran und der von der Korrekturergebnis-Verifiziereinheit 1612 ausgegebenen korrigierten Stencilmaskendaten sowie der Parameter 152 herstellt, und sie gibt sie aus. Dabei enthalten die Zeichnungsmusterdaten d16132 die Masken-Ausrichtungsmarkierungen d16011. Genauer gesagt, erzeugt die Datenwandlereinheit 1613 die Zeichnungsmembrandaten d16131, um dafür zu sorgen, dass die Maskenherstellvorrichtung 4 die Membran aus dem Fotomasken erstellen unter Steuerung durch z. Die 37 ist ein Flussdiagramm, das den Betrieb des in der 1 dargestellten Maskenbearbeitungssystems 100 zeigt. Der Betrieb dieses Maskenbearbeitungssystems 100 wird unter Bezugnahme auf die 37 erläutert. Dabei werden in der Komplementär-Stencilmaske auch Masken-Ausrichtungsmarkierungen hergestellt. Fotomasken erstellen werden das Ätzen usw. Die 38 ist ein Flussdiagramm zum Erläutern des Betriebs der in der 1 dargestellten Maskenbearbeitungsvorrichtung. Der Betrieb der Maskenbearbeitungsvorrichtung wird unter Bezugnahme auf die 38 einfach erläutert. Die 39 ist ein Flussdiagramm zum Erläutern des Betriebs der in der 1 dargestellten Maskenbearbeitungsvorrichtung. Wie oben erläutert, kann, durch Ausführen der Maskendaten-Verarbeitungsroutine, die gewünschte Komplementär-Stencilmaske auf einfache Weise und mit hoher Zuverlässigkeit auf Grundlage der Designdaten 151 und der die Eigenschaften der Maske anzeigenden Maskeneigenschaftsdaten 152 hergestellt werden. Ferner ist der Gebrauch des Verfahrens einfach, und menschliche Fehler können durch automatisches Ausführen der gesamten Verarbeitung verhindert werden. Ferner kann die Komplementärmaske vom Vierfach-Belichtungstyp auf Grundlage der Layoutdaten einfach hergestellt werden. Es ist zu beachten, dass die Erfindung nicht auf die vorliegende Ausführungsform eingeschränkt ist. Es sind verschiedene bevorzugte Modifizierungen möglich. Zum Beispiel sind die Verarbeitungsroutinen gemäß der vorliegenden Ausführungsform nicht auf die oben erläuterte Abfolge eingeschränkt. Beispielsweise können die vorbestimmte Verifizierverarbeitung und die Korrekturverarbeitung in derjenigen Abfolge ausgeführt werden, die zu den gewünschten Ergebnissen führt. Fotomasken erstellen der Erfindung können eine Maskenbearbeitungsvorrichtung, ein Maskenbearbeitungsverfahren, ein Programm und eine Maske, die einfache Herstellung der Maske ermöglichen, wie sie in einer Belichtungsvorrichtung mit einem Strahl geladener Teilchen verwendet wird, geschaffen werden.
HOW TO: DIY PROSTHETICS - Nasen, Masken & Co! • #SpooktoberCountdown
Zus¨atzliche Dimensionen lassen sich zu einem bestehenden W¨ urfel nicht sinnvoll hinzuf¨ ugen, da sich hierdurch die Granularit¨at der Kennzahlen a¨ndert. Dies sichert eine starke Marktstellung in Europa. Die Kraftwerkparks von PreussenElektra und Bayernwerk erg¨anzen sich in den einzelnen Lastbereichen hervorragend. Wenn sie innerhalb des Genauigkeitsbereichs liegt, gibt die Korrekturergebnis-Verifiziereinheit 1612 die durch die obige Verarbeitungsreihe erzeugten korrigierten Stencilmaskendaten an die Datenwandlereinheit 1613 aus. Bei einer vollautomatisierten L¨osung st¨oßt ein Anwendungssystem automatisch ein anderes Anwendungssystem an, das dann selbstst¨andig Aktionen durchf¨ uhrt. Wir betrachten dazu das folgende Beispiel. Wir bemerken, dass wir in Definition 1. In der Energiewirtschaft hat in Deutschland und Europa ein massiver Konzentrationsprozess eingesetzt, in dem die Unternehmen Vorteile haben, die in diesem Prozess eine f¨uhrende Rolle u¨ bernehmen. Ein Unternehmen mit einer Vielzahl von Mitarbeitern und Kunden, bei dem die Herstellung eines M¨obelst¨ ucks nicht mehr nur durch einen Mitarbeiter erfolgt, erfordert den Einsatz eines Anwendungssystems. Die durch die Musterform-Verifiziereinheit 1607 erfassten, oben erläuterten Muster werden z. Die 35A ist eine Schnittansicht, die schematisch die Stencilmaske bei ihrer Herstellung zeigt, während die 35B eine Schnittansicht ist, die schematisch die Stencilmaske bei ihrem Gebrauch zeigt. Die in Kurseinheit 1 behandelten Inhalte sind Grundlage f¨ ur die nachfolgenden Kurseinheiten und werden dort verfeinert und vertieft.
